1일 삼성전자에 따르면 한진만 메모리사업부 마케팅팀 전무는 전날 열린 '삼성전자 투자자 포럼 2020'에서 "현재 6세대 V낸드는 싱글 스택 기술로 128단을 적층하는데, 투 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산해 256단 적층까지 가능하다"며 이같이 밝혔다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 저장한 정보가 사라지지 않는 '비휘발성' 메모리 반도체다. 저장 단위인 '셀'을 수직으로 쌓아올려 좁은 면적에 많은 셀을 집어넣는 것이 중요 기술이다. 더블 스택 기술은 단일로 셀을 쌓아 올리는 싱글 스택에 비해 단순 계산으로는 두 배의 적층이 가능하다.
삼성전자는 내년 중 양산을 목표로 기존 128단의 6세대 V낸드를 넘어서는 7세대 V낸드를 개발 중이다. 삼성은 7세대 낸드의 단수를 아직 공개하지 않았다.
한 전무는 "실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 결정될 것"이라며 "얼마나 쌓을 수 있냐보다는 현 시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐의 문제"라고 설명했다.
지난달 미국의 메모리 반도체 기업 마이크론 테크놀로지는 삼성전자·SK하이닉스 등이 양산 중인 128단 낸드플래시보다 적층 수를 높인 176단 낸드플래시의 양산 소식을 발표한 바 있다.
KPI뉴스 / 양동훈 기자 ydh@kpinews.kr
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