최고 동작 속도 7.2Gbps…1초에 30GB UHD 영화 2편 처리
데이터센터와 인공지능, 차세대 컴퓨팅 시장 공략 삼성전자가 업계 최선단(앞의 맨끝)인 12나노(㎚·10억분의 1ｍ)급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다.
12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 이번에 개발한 12나노급 D램의 최고 동작 속도는 7.2Gbps로 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있다.
삼성전자는 12나노급 D램이 이전 세대 제품과 비교해 생산성과 소비전력이 각각 20%, 23%가량 개선돼 데이터센터 등을 운영할 때 전력 운영 효율을 높일 수 있다고 설명했다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용, 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor) 용량도 늘렸다. 또 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.
D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다.
삼성전자는 이 제품을 데이터센터와 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"고 소개했다.
이어 "대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보하고 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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