글로벌 고객사에 신제품 샘플 제공…성능 검증
AI 메모리 수요 증가 맞춰 올해 상반기 양산 목표 SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 고대역폭메모리(HBM3) 제품을 개발하는 데 성공했다.
SK하이닉스는 HBM3 24GB 신제품 샘플이 현재 다수의 글로벌 고객사에 제공해 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다. 검증에 성공하면 올해 상반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 계획이다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 제품이다. HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)에 이은 4세대 제품이다.
지금까지 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. SK하이닉스는 지난해 6월 세계 처음으로 이 제품에 대한 양산에 들어간 바 있다.
SK하이닉스는 "최근 AI 챗봇(Chatbot, 인공지능 대화형 로봇) 산업 확대로 프리미엄 메모리 수요가 증가하는 추세에 맞춰 하반기부터 24GB 제품을 시장에 공급할 수 있을 것"이라고 강조했다.
SK하이닉스는 특히 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV 기술을 적용, 공정의 효율성과 제품 성능의 안정성을 강화했다고 설명했다. TSV 기술로는 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다고 밝혔다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다.
TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 전극이 상층과 하층 칩의 구멍을 수직 관통하도록 하는 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술이다.
이 기술이 적용된 SK하이닉스의 HBM3는 FHD(Full-HD) 영화 163편을 1초에 전송하는, 최대 819GB/s(초당 819기가바이트)의 속도를 구현한다.
SK하이닉스 홍상후 부사장(P&T담당)은 "세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"면서 "상반기 중으로 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 말했다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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