동작속도가 6.4Gbps로 현존 최고 속도
DDR5 초창기 시제품보다 33% 속도 향상
전력 소모도 전작 대비 20% 이상 절감 SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노(10억분의 1m)급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고 데이터센터를 통한 호환성 검증에 들어갔다.
SK하이닉스는 이 기술이 적용된 DDR5를 인텔에 제공하고 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)'의 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.
인텔의 메모리 인증 프로그램은 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼(Intel® Xeon® Scalable platform)용 메모리 호환성 인증 성격을 지닌다.
SK하이닉스가 이번에 인텔에 제공한 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로 현재 시장에 출시된 제품 중 가장 빠르다.
DDR5 초창기 시제품과 비교하면 데이터 처리 속도가 33% 향상됐다.
전력 소모도 전작인 1a DDR5보다 20% 이상 줄였다. 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선했다.
HKMG 공정은 SK하이닉스가 지난해 11월 모바일 D램에 세계 최초로 도입한 것으로 올해 1월에도 9.6Gbps LPDDR5T 모바일 D램에 적용한 바 있다.
SK하이닉스는 "1b 기술을 개발해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전성비(일정 전력 단위당 처리 가능한 초당 데이터 용량)를 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것"이라고 강조했다.
SK하이닉스 김종환 부사장(DRAM개발담당)은 "지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증을 받았다"면서 "1b DDR5 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것"이라고 말했다.
이어 "1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라고 강조했다. 그러면서 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로 확대 적용할 것"이라고 밝혔다.
HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔다. HBM3 다음 세대인 5세대 제품이 HBM3E다. SK하이닉스는 올 하반기 8Gbps의 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 샘플을 준비하고 내년 양산할 예정이다.
인텔 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 메모리I/O기술부문 부사장은 "SK하이닉스의 1b DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것이며 이를 위해 업계 최초로 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증을 거치고 있다"고 말했다.
SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에 적용할 수 있도록 추가 인증 절차를 진행 중이다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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