기존 제품 대비 전력 효율 45% 향상·연속읽기 속도 2배 빨라

삼성전자가 4일 차세대 UFS 4.0 규격의 고성능 임베디드 플래시 메모리를 업계 최초로 개발했다고 밝혔다.

국제 반도체 표준화 기구 JEDEC®(Joint Electron Device Engineering Council)은 미국 현지시간 5월 3일 UFS 4.0 규격을 승인했다. 

UFS(Universal Flash Storage)는 마이크로SD와 규격이 비슷한 차세대 메모리 카드로, microSD(마이크로SD)에 비해 최대 소비전력이 60%로 낮지만 속도는 최대 10배 가량 빠르다.

UFS 4.0은 데이터 전송 대역폭이 기존 UFS 3.1 대비 2배인 23.2Gbps로 커져 더욱 빠르게 데이터를 저장하고 읽을 수 있다. 삼성전자 UFS 4.0 메모리는 연속읽기와 연속쓰기 속도는 이전 세대(UFS 3.1) 대비 각각 2배, 1.6배로 빨라졌다. 연속읽기 속도는 4200MB/s, 연속쓰기 속도는 2800MB/s이다.

에너지 효율도 크게 증가했다. 삼성전자 UFS 4.0은 1mA당 6.0MB/s의 연속읽기 성능을 제공해 전력 효율이 기존 UFS 3.1 제품 대비 약 45% 이상 향상됐다는 설명이다. 이로 인해 삼성전자 UFS 4.0 메모리가 탑재된 모바일 기기는 같은 배터리 용량으로도 더 많은 데이터를 처리할 수 있다.

삼성전자는 UFS 4.0 메모리를 가로 11㎜, 세로 13㎜, 높이 1.0㎜의 콤팩트한 패키지로 구현해 디자인 편의성과 공간 활용성도 높였다. 최대 1TB 용량까지 제공할 계획이다.

삼성전자는 "UFS 4.0은 고해상도 컨텐츠와 모바일 게임 등 처리할 데이터가 늘어나는 최신 스마트폰 등 모바일 기기를 비롯해 향후 차량용(Automotive) 반도체, 메타버스(Metaverse) 등을 포함한 기기들에 광범위하게 확산될 것으로 예상된다"며 "삼성전자는 자체 개발한 UFS 4.0 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 성능을 구현했다"고 말했다. 

KPI뉴스 / 조성아 기자 jsa@kpinews.kr

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