기존 제품보다 세배 빨라…노트북 SSD 보다 두배, 마이크로SD 카드보다 열배 성능

삼성전자의 기존 제품보다 세 배 가량 빠른 기록 속도를 갖춘 최신 스마트폰 내장 메모리가 세계 최초로 양산되기 시작했다.

이 메모리는 5GB 용량의 FHD 영화 한 편을 담는 데 4초밖에 걸리지 않을 만큼 '연속 쓰기 속도'가 빠르다는 게 삼성전자 측 설명이다.

17일 삼성전자는 기존 512GB eUFS 3.0보다 세 배 가량 빨라 역대 최고 수준의 연속 쓰기 속도를 지원하는 스마트폰용 내장형 메모리 '512GB eUFS 3.1'을 세계 최초로 본격 양산했다고 밝혔다. 연속 쓰기 속도는 저장장치에 영화 등을 저장할 때의 성능을 보여 주는 지표다.

512GB eUFS 3.1은 삼성전자의 낸드플래시 반도체를 사용한 내장형 저장장치로, 향후 출시될 차세대 스마트폰 기기에서 노트북 PC 수준의 쾌적한 데이터 기록 속도를 제공할 것으로 기대된다. 삼성전자가 기존 성능한계를 넘어선 메모리 기술로 글로벌 선도 역량을 지속하는 모습이다.

512GB eUFS 3.1은 연속 쓰기 속도 1200MB/s를 지원한다. 약 5GB 용량의 FHD 영화 한 편을 약 4초만에 저장할 수 있는 속도다. 이는 기존 512GB eUFS 3.0 보다 2.9배 빠른 수준이다.

삼성전자는 이 신제품의 데이터 처리 속도가 노트북 PC에 탑재되는 SATA SSD의 데이터 처리 속도 540MB/s보다 두 배 이상 빠르고, UHS-I 마이크로SD 카드의 데이터 처리 속도 90MB/s보다 열 배 이상 빠르다고 강조했다.

회사측은 "스마트폰에 '512GB eUFS 3.1' 메모리를 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수백장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있어 소비자가 울트라 슬림 노트북 수준의 편의성을 체감할 수 있다"고 설명했다.

이어 "100GB의 데이터를 새 스마트폰으로 옮길 때 기존 eUFS 3.0 메모리 탑재폰은 4분 이상 시간이 걸렸지만, eUFS 3.1 탑재 폰은 약 1분 30초면 충분하다"고 첨언했다.

512GB eUFS 3.1은 연속 쓰기 속도뿐아니라 임의 읽기 속도도 10만 IOPS로 기존 대비 1.6배, 임의 쓰기 속도도 7만 IOPS로 기존 512GB eUFS 3.0 대비 1.03배 가량 향상됐다. 임의 읽기 및 쓰기는 저장장치와 기기 사이에 데이터가 저장되고 불러지는 초당 입출력 횟수다. 512GB eUFS 3.1의 연속 읽기 속도는 2100MB/s로 기존 512GB eUFS 3.0과 동등하다.

이 신형 메모리를 채택한 스마트폰의 사용자는 데이터를 저장하고 불러낼 때 한층 더 빨라진 성능을 체감할 수 있을 전망이다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 양산함으로써 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 해결했다"며 "올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 안정적으로 공급할 수 있도록 모든 준비를 해 나갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 eUFS 3.1 제품군을 512GB, 256GB, 128GB, 세 가지 용량의 모델로 구성했다. 이를 통해 올해 플래그십 스마트폰 메모리 저장장치 시장을 선점할 계획이다.

모델별 수요 증가에 대응하기 위해 평택캠퍼스 P1 라인 생산 품목을 5세대 V낸드에서 6세대 V낸드로 전환하고 중국 시안의 신규 2라인(X2)에서 5세대 V낸드 양산을 시작해, 플래그십 스마트폰에서 하이엔드 스마트폰 시장까지 공략할 계획이다.

KPI뉴스 / 임민철 기자 imc@kpinews.kr

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