곽노정 CEO "오랜 노력으로 HBM 리더십 확보"
최고 성능 HBM3E 12단 3분기부터 양산
HBM4에 첨단 적층 공법…16단 제품 구현
美 인디애나 공장서 2028년부터 AI 메모리 양산

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 강화하며 인공지능(AI) 반도체 리더십을 공고히 한다. 세계 최고 성능의 AI 반도체인 5세대 HBM(HMB3E) 12단 제품은 이달 중 고객사에 샘플을 제공하고 3분기부터 양산에 나설 계획이다.

 

▲ SK하이닉스 곽노정 대표가 2일 이천 본사에서 'AI시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. [SK하이닉스 제공]

 

SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자간담회를 열고 AI 메모리 기술력과 시장 현황, 미래 주요 생산거점에 대한 투자 계획을 공개했다.

이날 행사에는 곽노정 대표(CEO)와 김주선 사장(AI Infra 담당), 최우진 부사장(P&T 담당) 등 주요 경영진이 참석했다.

곽 대표는 이 자리에서 "HBM은 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)이고 내년 물량도 거의 완판됐다"면서 "세계 최고 성능인 HBM3E 12단 제품 샘플은 이달 중 제공하고 3분기에는 양산을 준비한다"고 밝혔다.

이어 "HBM과 TSV(실리콘관통전극) 기반 고용량 D램과 고성능 eSSD(기업용 솔리드스테이트드라이브) 등의 기술력으로 글로벌 파트너사들과 협력해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.

곽 대표는 "AI 반도체 경쟁력은 D램 기술력에 기반해 오랫동안 쌓아온 것"이라며 "2012년 SK그룹이 전략적으로 투자를 확대한 데 힘입어 2013년 세계 최초로 HBM을 개발할 수 있었다"고  설명했다.

그는 "거기에 더해 지속적인 연구개발이 있었고 고객, 협력 파트너들과 긴밀하게 협업해 지금의 HBM 리더십을 확보할 수 있게 됐다"고 덧붙였다. 

 

▲ SK하이닉스 곽노정 대표가 AI 반도체 비전에 대해 설명하고 있다. [SK하이닉스 제공]

 

전세계적 AI 열풍에 힘입어 데이터 수요는 기하급수적으로 늘고 있다. 생산되는 데이터 총량도 2014년 15ZB(제타바이트)에서 2030년 660ZB까지 증가할 전망이다. 제타는 10의 21승으로 1ZB는 10억TB(테라바이트)를 의미한다.

곽 대표는 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI( 기기에 AI 기능 내장)로 빠르게 확산되고 AI에 특화된 초고속·고용량·저전력 메모리 수요도 폭발적으로 늘 것"이라고 내다봤다.

AI 메모리 매출도 급증할 전망. HBM는 작년엔 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)에 불과했지만 2028년엔 비중이 61%에 달할 것으로 관측되고 있다.

SK하이닉스는 D램에서는 HBM3E와 256GB(기가바이트) 이상 초고용량 모듈을 양산하고 낸드에서는 60TB 이상 SSD를 공급하며 AI 메모리 선두를 유지한다는 방침이다.

김주선 사장은 "현재 HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD, CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션과 PIM 등 혁신 제품들도 준비하고 있다"고 밝혔다.

CXL 풀드 메모리 솔루션은 여러 CXL 메모리를 묶어 여러 호스트(CPU, GPU 등)에게 분배하는 것이 특징이고 PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더했다는 강점이 있다. 두 혁신 메모리 제품들은 AI와 빅데이터 시대에 특히 더 주목받고 있다.
 

▲ SK하이닉스 경영진들이 2일 이천 본사에서 진행한 'AI시대, SK하이닉스 비전과 전략' 간담회에서 질문에 답변하고 있다. 왼쪽부터 류병훈 부사장(미래전략 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 김영식 부사장(제조기술 담당), 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO), 김종환 부사장(D램개발 담당). [SK하이닉스 제공]

 

반도체 패키징도 SK하이닉스가 역점을 두는 분야다. 대표적인 것이 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 MR-MUF(Advanced Mass Reflow-Molded UnderFill)다.

 

MR-MUF는 다수의 칩을 쌓으면서 한번에 포장하는 기술로 외부 충격에도 적층된 칩이 어긋나지 않도록 보호재로 잘 감싸는 것이 관건이다.

SK하이닉스는 MR-MUF로 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준으로 낮추고 공정시간은 줄여 생산성을 4배로 높였다. 열 방출은 45% 향상시켰다.

최우진 부사장은 "HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정"이라고 설명했다.

美 인디애나 공장…2028년부터 AI 메모리 양산

 

SK하이닉스는 이날 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 건설 중인 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지에 대해서도 소개했다.

최 부사장은 "웨스트라피엣 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라며 "인디애나는 미 중서부 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드(Silicon Heartland)의 주요 거점"이라고 강조했다.

SK하이닉스는 이 지역에서 AI 경쟁력 강화를 추진하고 주변 대학 및 연구개발센터들과 협력, 반도체 인력도 양성할 계획이다.

곽노정 대표는 "AI 시대에 고객으로부터 가장 신뢰받는 준비된 기업이자, 업황 변화에 흔들리지 않는 내실 있는 기업으로 성장하도록 하겠다"고 말했다.

 

KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr

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