美 정부 보조금 수혜 대상으로 '성큼'
인디애나주와 파트너십…퍼듀대와 반도체 연구·개발
2028년 하반기 양산 목표…38억7000만 달러 투자

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 공장을 건설하며 미 정부의 반도체과학법 보조금 대상으로 성큼 다가섰다.

SK하이닉스가 AI(인공지능) 반도체의 핵심인 HBM 생산기지를 해외에 신설하는 것은 이번이 처음이다.
 

▲ SK하이닉스의 반도체 생산 현장의 모습.[SK하이닉스 제공]

 

SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미국 정부 관계자들과 투자협약식을 열고 미 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설한다고 공식 발표했다.

투자 규모는 38억7000만 달러(약 5조2000억 원)이며 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품양산 목표 시점은 2028년 하반기다.

SK하이닉스는 인디애나주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하고 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체 및 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.

반도체 연구·개발을 위해서는 퍼듀(Purdue) 대학교를 비롯, 현지 연구기관과 협력한다.

SK하이닉스는 "글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장서고 인디애나 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 밝혔다.

▲ SK하이닉스가 대량 양산에 성공한 HBM3E [SK하이닉스 제공]

 

HBM 등 초고성능 메모리는 AI 시대가 개막하면서 수요 급증세다. 이를 위한 어드밴스드 패키징의 중요성도 커졌다.

SK하이닉스는 기술 리더십 강화를 위해 첨단 후공정 분야 투자가 필요하다고 보고 미국내에서 생산용 부지를 탐색해 왔다.

미국은 AI 분야 빅테크 기업들이 집중돼 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발한 곳이다. 여기에 인디애나 주 정부가 적극적으로 투자 유치에 나서면서 웨스트라피엣이 생산 거점으로 낙점을 받았다.

지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부하고 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 부지 선정에 주효했다.

에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다.

토드 영 상원의원은 "미 정부의 반도체 지원법으로 인디애나는 발전의 계기를 마련했고 SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 전했다.

멍 치앙 퍼듀대 총장은 "혁신적인 투자는 인디애나 주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 말했다.

SK하이닉스 곽노정 대표는 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"며 "갈수록 고도화되는 고객 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 했다.

한편 SK하이닉스는 120조 원이 투입되는 용인 반도체 클러스터 등 국내 투자도 차질없이 추진한다.

용인 반도체 클러스터는 내년 3월 첫 팹(생산시설)을 착공해 2027년 초 완공 예정으로 현재 부지 조성 공사가 진행 중이다.

SK하이닉스는 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설할 계획이다.

 

KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr

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